深圳大学“柔性可拉伸电子”方向招聘青年教师及博士后; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室拟招聘博士后研究人员1-2名; 深圳大学光电工程学院“光子技术与器件”研究方向博士后招聘; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室,国家“青年千人”获得者、深圳大学特聘教授王科拟招聘博士后研究人员1-2名;

赵志刚

发表于 2017-03-25 11:20


赵志刚,男,湖北黄冈人,博士、博士后,硕士生导师。19997月和20055月先后于解放军军械工程学院获学士和硕士学位,20106月于华中科技大学获博士学位。201212月从深圳大学光学工程博士后流动站出站后,入职深圳大学光电工程学院任讲师。

主要研究方向为大面积高分辨率数字化X射线成像、微型光谱仪高光谱成像,研究兴趣为基于ARMFPGA的嵌入式图像数据采集与处理。参与国家自然科学基金重点项目、重大仪器专项等项目多项,主持中国博士后基金特别资助项目和面上项目、教育部博士点基金项目、深圳市基础研究项目各1项。在国内外各类刊物上发表学术论文20余篇,其中以第一作者发表9篇;获授权专利3项,其中以第一发明人申请2项。20168月被认定为深圳市高层次专业人才(后备级)。

 

电子邮箱:zhaozhigang@szu.edu.cn

 

发表的论文:

  1. Zhigang Zhao, Ji Li, Yaohu Lei, Ru Wang, Jianping Ren, Jian Qiao, Hanben Niu. Wafer-scale pixilated scintillator and specially designed data acquisition system for fiber optic taper array-coupled digital x-ray detector. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 2015(795): 71-76.

  2. 赵志刚, 王茹, 雷耀虎, 郭金川, 杨勤劳, 牛憨笨. 可微调非粘结光锥阵列耦合数字X射线探测器. 光子学报, 2015, 44(5): 0504001(1-6).

  3. Zhigang Zhao, Ru Wang, Jianheng Huang, Jinchuan Guo and Hanben Niu. Implementation of a Data Acquisition System for 2×2 Fiber Optic Taper Array Coupled Digital X-ray Detector. The Open Electrical & Electronic Engineering Journal, 2014(8): 152-158.

  4. Zhao Zhigang, Guo Jinchuan, Lei Yaohu, Niu Hanben. Photoelectrochemical etching of uniform macropore array on full 5 inch silicon wafers. Journal of Semiconductors, 2010, 31(7): 076001(1-5).

  5. 赵志刚,牛憨笨,雷耀虎,郭金川. 光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽. 纳米技术与精密工程. 2010, 8(6): 498-503.

  6. 赵志刚,杜杨,黄建衡,郭金川,牛憨笨. 电源和驱动时序可调整CMOS成像系统的实现. 光电工程. 2010, 37(6): 119-125.

  7. 赵志刚,郭金川,杜杨,黄建衡,牛憨笨,王健,曾清清. 基于DDR2 SDRAM缓存的CMOS图像数据采集与传输系统. 仪表技术与传感器. 2010(6): 90-93.

  8. 赵志刚,郭金川,杜杨,黄建衡,牛憨笨,王健. CMOS图像传感器LUPA-4000具有开窗读出功能成像系统的实现. 传感技术学报. 2010, 23(5): 670-675.

  9. Zhigang Zhao, Caili Bai, Jinchuan Guo, Hanben Niu. Fabrication of wall array by electrochemical etching of n-type silicon. MEMS/MOEMS Technologies and Applications III, Proc. of SPIE, Vol. 6836, 68360W(1-5).

  • 授权的专利

  1. 赵志刚,牛憨笨,杨勤劳,郭金川. 发明专利. 多光锥耦合数字X射线探测器的耦合装置. 专利号:ZL201210043537.7

  2. 赵志刚,牛憨笨,郭金川. 光助电化学刻蚀装置. 发明专利. 专利号:ZL200910105069.X

     

     

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