深圳大学“柔性可拉伸电子”方向招聘青年教师及博士后; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室拟招聘博士后研究人员1-2名; 深圳大学光电工程学院“光子技术与器件”研究方向博士后招聘; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室,国家“青年千人”获得者、深圳大学特聘教授王科拟招聘博士后研究人员1-2名;

冯玉春


 

        冯玉春 博士,高级工程师,女,1961年2月生,湖南人,硕士导师。1982年1月毕业于湖南大学半导体专业,获学士学位,1988年7月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获硕士学位,1996年10月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获博士学位。1999年9月调入深圳大学光电子学研究所。 长期从事半导体材料与器件的研制与开发工作。先后主持国家“八·五”科技攻关项目“MCT研究”,研制出10A、1000V、关断时间达1.5微秒的MCT样品,并通过国家“八·五”鉴定验收;参加了国家“八·五”攻关项目“IGBT研究”,研制出了35A/1200V IGBT单管和50A~200A,600V~1200V二单元IGBT摸块,并通过国家“八·五”攻关鉴定验收。研制了非晶硅和非晶氮化硅材料,所研制的非晶场效应晶体管通态与断态电流比达六个数量级。 参加了大功率可控硅及其快速晶闸管的研制与生产,如《舟山直流输电用可控硅的研制》、《高可靠性可控硅》和《特大功率晶闸管的研制》等课题,并从事产品ISO9001系统的建立。曾获陕西省机械局科学技术进步奖二等奖2项、陕西省机械局科学技术进步奖一等奖1项、西安市科学技术进步奖三等奖1项、西安市科学技术进步奖二等奖1项、陕西省科学技术进步奖三等奖1项。发表论文十余篇。 调入深圳大学后,负责半导体实验室的筹建和设备调研、定购与安装调试工作。目前正在从事氮化镓基材料与器件的研制,研究如何有效地提高LED的外量子效率,在建立相关理论模型的基础上进行CAD辅助设计,优化LED输出层结构图形和材料;研究氮化镓基LED的发光机制,氮化镓基材料的MOCVD外延生长技术、缓冲层的影响以及在不同衬底上优质异型外延材料的生长。 
         先后承担了市科技项目《光子晶体在蓝、绿光LED中的应用》、《纳米图形化硅衬底GaN外延生长技术研究》,省重点实验室启动项目《GaN紫外发光二极管的研究》;参加 广东省关键领域重点突破项白《光LED器件和应用产品关键技术研究与产业化》和国家863计划引导项目《大功率白光LED器件产业关键技术研究与开发》,并为子项目负责人。

 

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