联系方式
电话:0755-26538556
邮箱:sbpengds@szu.edu.cn
工作经历
2011.12—至今 深圳大学,副研究员
2007.9—2011.11 深圳大学,讲师
2003.7—2004.7 上海空间电源研究所,工程师
教育经历
1996.9—2000.7 武汉理工大学,材料科学与工程 学士
2000.9—2003.7 华中科技大学,材料学 硕士
2004.9—2007.7 中国科学院西安光学精密机械研究所,物理电子学 博士
研究兴趣
GaN基蓝光LED发光器件研究
太阳能电池的应用技术研究
荣誉和奖励
深圳市高层次专业人才(地方级)
科研项目
主持国家自然科学基金项目(60806017):蓝宝石基无极性GaN薄膜外延生长及LED器件研究,2009.01-2011.12
主持深圳市科技计划基础研究项目(JC201005280455A):新型高效太阳电池用InGaN量子点材料生长技术研究,2010.01-2012.12
主持深圳市科技计划基础研究项目(JCYJ20120613162522373):超大功率三基色基白光LED液体封状关键技术研究,2013.01-2014.12
代表性成果
[1] Dongsheng Peng,Zhigang Chen,Congcong Tan. The influence of SixNy interlayer on GaN film grown on Si(111) substrate. Chinese Physics B, 2012, 21:128101-1-128101-5(SCI收录)
[2] Dongsheng Peng, Yuchun Feng, Hanben Niu. Effects of surface treatment for sapphire substrate on gallium nitride films. Journal of Alloys and Compounds, 2009,476:629-634 (SCI收录)
[3] D.S. Peng, Y.C. Feng, W.X. Wang, X.F. Liu, W. Shi, H.B. Niu. High-quality GaN films grown on surface treated sapphire substrate. Journal of Physics D: applied physics, 2007,40:1108-1112 (SCI收录)
[4] Dongsheng Peng, Zhigang Chen, Congcong Tan. Study of Silicon Substrate Microspheres Reactive Ion Etching Technique. Advanced Materials Research, 2012,. 542-543:945-948(EI收录)
[5] Dongsheng Peng, Zhigang Chen, Congcong Tan. Research of preparation and etching of PS microspheres film. Advanced Materials Research, 2012, 602-604:1470-1473(EI收录)
[6] Dongsheng Peng, Ke Jin, Ruisheng Zheng, Lei Liu, Zhechuan Feng . Comparative Study of GaN—Based LED Grown on Different Substrates. Advanced materials research, 2011 (194-196):2241-2244(EI收录)
[7] Dongsheng Peng, Ke Jin. The influence of driving current on emission spectra of GaN-based LED. IEEE, 2011 :V2-148—V2-151(EI收录)
[8] Dongsheng Peng, Ke Jin,Fa Dong, Jianhua Wei . The Study of Pretreated Sapphire Substrate. IEEE, 2011 :1—3(EI收录)
地址:广东省深圳市南山区南海大道3688号
Copyright © 2014 深圳大学光电工程学院
邮编:518060 办公室电话:0755-26732931 传真:0755-26538580 电子邮箱:gds@szu.edu.cn