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李百奎

发表于 2017-03-25 11:20


2004年毕业于中国科学技术大学,获材料物理和工商管理双学士学位。2010年于香港科技大学物理系获博士学位。2010年至2015年在香港科技大学物理系和电子与计算机工程系从事博士后研究。2016年加入深圳大学光电工程学院任助理教授。深圳市海外高层次人才项目(孔雀计划)入选者。主要研究工作集中在第三代宽禁带半导体氮化镓异质结光电子器件和功率电子器件领域。在Applied Physics Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等发表期刊论文40余篇(包括封面文章1篇);同时在国际顶尖的电子器件会议IEDM、国际氮化物半导体会议ICNS等国际会议做邀请报告或口头报告10余次;申请美国发明专利3项。主持国家自然科学基金,深圳市科技计划等项目。

研究方向氮化物(GaN,AlN)宽禁带半导体,包括缺陷/杂质性质研究,深紫外光电器件,高压功率电子器件等。

联系方式libk@szu.edu.cn

 

主要论文

1. B. K. Li, X. Tang, G. Tang, J. Wei, J. N. Wang, and K. J. Chen, Switching Behaviors of On-chip Photon Source on AlGaN/GaN-on-Si Power HEMTs Platform, IEEE Photonic Technology Letters 28, 2803-2806 (2016)

2. B. K. Li, X. Tang, J. N. Wang, and K. J. Chen, Optoelectronic devices on AlGaN/GaN HEMT platform, Physica Status Solidi A 213, 1213-1221 (2016) (封面文章)

3. X. Tang, B. K. Li, Z. Zhang, G. Tang, J. Wei, and K. J. Chen, Characterization of Static and Dynamic Behaviors in AlGaN/GaN-on-Si Power Transistors with Photonic-Ohmic Drain, IEEE Transactions on Electron Devices 63, 2831-2837 (2016)

4. B. K. Li, X. Tang, and K. J. Chen, Optical pumping of deep traps in AlGaN/GaN-on-Si HEMTs using an on-chip Schottky-on-heterojunction light-emitting diode, Applied Physics Letters 106, 093505 (2015)

5. B. K. Li, X. Tang, J. N. Wang, and K. J. Chen, P-doping free III-nitride high electron mobility light-emitting diodes and transistors, Applied Physics Letters 105, 032105 (2014) 

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