武红磊

    武红磊，男，博士，河南省人，硕士生导师。2002年毕业于山东大学光电系，获学士学位；同年7月在常州信息职业技术学院从事半导体技术方向教学工作；2004年9月考入深圳大学光电子学研究所攻读硕士学位，2007年7月获物理电子学硕士学位； 2010年12月获深圳大学光学工程专业博士学位。近三年内，主持国家自然科学基金2项、深圳市科技计划项目2项、深圳大学科技项目1项，作为课题副组长参与973项目1项、国家自然科学基金重点项目1项、教育部博士点项目1项。近五年内，以第一作者身份在国内外学术期刊上已经发表论文16篇，申请专利6项（本人均为第一发明人）。

联系方式

    电话：0755-26538557

    邮箱：hlwu@szu.edu.cn 

研究方向

 从事化合物半导体（AlN、GaN等）晶体和薄膜材料的制备及性能的实验和理论研究工作。

科研项目

[1] 国家自然科学基金项目：氮化铝P掺杂及自补偿机理的第一性原理研究（11447029），2015.1-2017.12，负责人

[2] 国家自然科学基金项目： P型氮化铝晶体的制备及掺杂机理研究（61440028），2015.1-2015.12，负责人

[3] 深圳市科技研发知识创新计划项目：新型半导体材料-氮化铝晶体的P型掺杂研究（JCYJ20120821110533437），2013.1-2014.12，负责人

[4] 深圳市科技研发基础研究计划项目：非极性面氮化铝晶体材料的制备及光电特性研究（JCYJ20140418095735610），2014.12-2016.12，负责人

[5] 国家自然科学基金重点项目：大尺寸AlN单晶材料制备技术研究（61136001），2012.1-2016.12，副组长

[6] 973前期研究专项：大尺寸氮化铝晶体生长及p型掺杂的关键科学问题研究（2010CB635115），2010.4-2012.12，副组长

[7] 教育部博士点基金项目：氮化铝晶体p 型掺杂的理论与实验研究（20114408110002），2012.1-2014.12，副组长

论文目录
[1] Zheng Yan, Honglei Wu, Ruisheng Zheng *. Ferromagnetism in alkali-metal-doped AlP: An ab initio study, Computational Materials Science, 第99卷, 16-20页, 2015

[2] Honglei Wu, Ruisheng Zheng*, Yuan Guo. Structural and optical properties of C–Si codoped p-type and intrinsic AlN crystal, Materials Research Innovations, 第18卷, 721-724页, 2014 

[3] Wei Zheng, Ruisheng Zheng *, Honglei Wu, Fadi Li. Strongly anisotropic behavior of A1(TO) phonon 

mode in bulk AlN, Journal of Alloys and Compounds, 第584卷, 374-376页, 2014

[4] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征, 郑伟, 碳硅共掺杂P型AlN的光电性能研究, 发光学报, 第34卷, 906-91页, 2013

[5] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征. 升华法生长氮化铝晶体的热场分析, 人工晶体学报, 第42卷, 2574-2577页, 2013

[6] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征, 郑伟. 升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究, 人工晶体学报，第41卷, 1534-1539页, 2012

[7] 武红磊, 郑瑞生*, 闫征, 李萌萌, 郑伟. 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响, 深圳大学学报理工版, 第29卷, 第6期, 487-491页, 2012

专利目录
[1].一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置（国家发明专利），申请号：2008100839707，申请日：2008年4月29日，发明人：武红磊、郑瑞生，2011年7月20日授权
[2].自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺（国家发明专利），申请号：2011103878777，申请日：2011年11月11日，发明人：武红磊、郑瑞生
[3].一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法（国家发明专利），申请号：2012102587798，申请日：2012年7月17日，发明人：武红磊、郑瑞生、李萌萌、闫征
[4].一种制备P型氮化铝晶体的方法（国家发明专利），申请号：2012101153679，申请日：2012年4月10日，发明人：武红磊、郑瑞生、闫征、郑伟、李萌萌

[5] 一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置, 申请号：2013102543525, 申请日：2013年6月5日，发明人：武红磊、郑瑞生、徐百胜、闫征、郑伟、李萌萌,