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冯玉春


 

        冯玉春 博士,高级工程师,女,1961年2月生,湖南人,硕士导师。1982年1月毕业于湖南大学半导体专业,获学士学位,1988年7月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获硕士学位,1996年10月毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,获博士学位。1999年9月调入深圳大学光电子学研究所。 长期从事半导体材料与器件的研制与开发工作。先后主持国家“八·五”科技攻关项目“MCT研究”,研制出10A、1000V、关断时间达1.5微秒的MCT样品,并通过国家“八·五”鉴定验收;参加了国家“八·五”攻关项目“IGBT研究”,研制出了35A/1200V IGBT单管和50A~200A,600V~1200V二单元IGBT摸块,并通过国家“八·五”攻关鉴定验收。研制了非晶硅和非晶氮化硅材料,所研制的非晶场效应晶体管通态与断态电流比达六个数量级。 参加了大功率可控硅及其快速晶闸管的研制与生产,如《舟山直流输电用可控硅的研制》、《高可靠性可控硅》和《特大功率晶闸管的研制》等课题,并从事产品ISO9001系统的建立。曾获陕西省机械局科学技术进步奖二等奖2项、陕西省机械局科学技术进步奖一等奖1项、西安市科学技术进步奖三等奖1项、西安市科学技术进步奖二等奖1项、陕西省科学技术进步奖三等奖1项。发表论文十余篇。 调入深圳大学后,负责半导体实验室的筹建和设备调研、定购与安装调试工作。目前正在从事氮化镓基材料与器件的研制,研究如何有效地提高LED的外量子效率,在建立相关理论模型的基础上进行CAD辅助设计,优化LED输出层结构图形和材料;研究氮化镓基LED的发光机制,氮化镓基材料的MOCVD外延生长技术、缓冲层的影响以及在不同衬底上优质异型外延材料的生长。 
         先后承担了市科技项目《光子晶体在蓝、绿光LED中的应用》、《纳米图形化硅衬底GaN外延生长技术研究》,省重点实验室启动项目《GaN紫外发光二极管的研究》;参加 广东省关键领域重点突破项白《光LED器件和应用产品关键技术研究与产业化》和国家863计划引导项目《大功率白光LED器件产业关键技术研究与开发》,并为子项目负责人。

 

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