光电工程学院阮双琛教授团队成果在Advanced Materials发表

发表于 2018-06-14 18:14

近日，光电工程学院阮双琛教授团队在国际顶尖材料学期刊《Advanced Materials》(中科院JCR 1区，影响因子19.791)上在线发表了题为“Phosphorene/ZnO Nano-Heterojunctions for Broadband Photonic Nonvolatile Memory Application”的研究成果。光电工程学院阮双琛教授、曾昱嘉教授、电子科学与技术学院韩素婷副教授为共同通讯作者，光电工程学院副研究员胡亮博士为第一作者。深圳大学为唯一完成单位。

大数据时代对于存储速度和密度的迫切需求，推动科研工作者探索新的操控方式（比如光）去提升器件的存储性能，光调制存储器概念应运而生。但如何进一步拓展该类型器件的电磁波谱响应范围，优化多级存储密度，成为一个具有重要研究价值的课题。研究团队利用单层磷烯量子点与氧化锌结合，构筑了三维组装结构的范德华纳米异质结。研究表明，该类异质结不仅可以有效分离光生激子、拓展光谱吸收范围，同时提升黑磷材料的抗氧化（普通放置50天不衰减）、抗辐照（多波长高功率激发无衰减）与抗高温（最高可耐730 K）能力。研究团队将该材料首次应用在阻变型光调制存储器中，通过改变光照波长、强度等条件，有效调节了存储器的写入（SET）电压，使器件在紫外（380nm）到近红外（785nm）宽波段范围内均能有效工作，这是到目前为止最宽响应波段的光调制存储器，对未来光调制存储器的开发具有一定的借鉴指导意义。从材料应用角度，磷烯与氧化锌异质结充分兼容于胶体成膜工艺，可实现大面积印刷，因此具有良好的产业化应用前景。

该研究得到了国家自然科学基金，广东省教育厅，广东省科技厅，深圳市科创委等项目的资助。

研究成果链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201801232