深圳大学“柔性可拉伸电子”方向招聘青年教师及博士后; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室拟招聘博士后研究人员1-2名; 深圳大学光电工程学院“光子技术与器件”研究方向博士后招聘; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室,国家“青年千人”获得者、深圳大学特聘教授王科拟招聘博士后研究人员1-2名;

郑瑞生



联系方式

 

传真:0755-26538580

 

邮箱:rszheng@szu.edu.cn

 

郑瑞生,男,19573月出生于内蒙古集宁市,博士、教授,硕士生导师、博士生导师;深圳大学“光学工程”博士点“光子技术与器件”研究方向学术带头人。

 

19821月毕业于内蒙古大学物理系半导体专业,获学士学位。19851月获内蒙古大学理学硕士学位,19993月获日本国立山口大学工学博士学位。19993月~20033月在山口大学工学部做博士后研究。

19851月~199610月期间在内蒙古大学物理系任教,199212月晋升副教授,主要从事凝聚态物理理论研究、物理教学、工业自动控制技术的开发和应用等方面的工作。主持了1996年国家教委“资助优秀年轻教师基金”《晶格振动对半导体量子阱中双极化子和激子性质的影响》项目的研究。198811月~198911月公派到日本国大阪大学理学部作访问学者,从事极细微半金属和半导体细线物理性质的研究。199610月~19974月再次被公派到日本国山口大学工学部作高级访问学者,从事半导体量子阱的光学和电学性质的研究。19993月~20033月在日本国山口大学作博士后研究,作为日本国家计划“高效率电光变换化合物半导体的开发”(简称:21世纪的光源)项目的专职研究员,从事高效率固体照明光源的实验和理论研究。20033月回国,到深圳大学工作,200412月晋升教授。目前主要从事高效率电光变换化合物半导体的实验和理论研究,半导体量子结构中的元激发和多元混晶化合物物理性质的研究。在国内外学术刊物发表八十多篇学术论文(其中:以第一作者身份在Physical Review B发表论文9篇),合著英文专著一本。

 

主要研究方向

1. 氮化铝晶体生长技术

2. 半导体量子结构中元激发

3. 多元混晶化合物中晶格振动及相关问题

4. 高效率电光变换化合物半导体材料及器件

5. 半导体照明光源的理论计算及数值模拟

 

近年来,作为课题负责人主持了下列科研项目的研究:

1. 国家自然科学基金重点项目《大尺寸AlN单晶材料制备技术研究》(课题编号:61136002012.1-2016.12);

2. 国家科技计划(973)前期研究项目《大尺寸氮化铝晶体生长及P型掺杂的关键科学问题研究》(课题编号:2010CB6351152010.042013.04);

3. 国家自然科学基金项目《多元氮化物外延薄膜材料中组分不均匀结构的研究和应用》(批准号:603760032004.12006.12);

4. 教育部科学研究重点项目《氮化铝晶体制备技术的研究》(教技司[2005]3号,2005.012006.12);

5. 国家自然科学基金研究项目《氮化铝单晶材料的生长及其光电特性的研究》(批准号:605760052006.12006.12);

6. 广东省自然科学基金研究项目《氮化物混晶薄膜中自组织量子结构的理论研究》(批准号:040112972005.12006.12);

7.深圳市科技计划项目《氮化铝晶体材料制备技术的研究》(项目编号:2005172006.12007.12)。

 

已发表的代表性学术论文:

1.         郑瑞生, 磷化物多元混晶中光学声子的性质,深圳大学学报,第32卷第1期,102006年)

2.         Ruisheng Zheng, Tsunemasa Taguchi, Composition dependence of optical phonon properties and dielectric functions of group-III arsenide ternary and quaternary mixed crystals, Journal of Applied Physics, 93, 9048 (2003).

3.         Ruisheng Zheng , Tsunemasa Taguchi and Mitsuru Matsuura, Theory of long-wavelength optical lattice vibrations in multinary mixed crystals: Application to group-III nitride alloys, Physical Review B66. 75327 (2002).

4.         Ruisheng Zheng and Tsunemasa Taguchi, Optical properties of InGaN epitaxial layers studied using a disordered quantum-wire model , Physica Status Solidi (b) 229, 1313 (2002).

5.         Ruisheng Zheng and Tsunemasa Taguchi, Simulation of photoluminescence excitation spectra of InGaN epitaxial layers , Journal of Applied Physics, 905183 (2001).

6.         Ruisheng Zheng and Tsunemasa Taguchi, Radiative recombination process in InGaN active layers of GaN-based light emitting diodes , Journal of Applied Physics, 89, 6260 (2001).

7.         Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Well-width dependence of electron-phonon interaction energies in quantum wells due to confined LO phonon modes, Physical Review B61, 12624 (2000).

8.         Ruisheng Zheng , Mitsuru Matsuura, and Tsunemasa Taguchi, Exciton-LO-phonon Interaction in Zinc-Compound Quantum Wells, Physical Review B61, 9960 (2000).

9.         Ruisheng Zheng and Tsunemasa Taguchi, Stokes Shift in InGaN Epitaxial Layers, Applied Physics Letters,77, 3024 (2000).

10.     Ruisheng Zheng , Tsunemasa Taguchi and Mitsuru Matsuura, Properties of Ga1-xInxN Mixed Crystals and Ga1-xInxN/GaN Quantum Wells, Journal of Applied Physics, 87, 2526 (2000).

11.     Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Electron–optical-phonon interaction in quantum wells consisting of mixed crystals , Physical Review B60, 49371999.

12.     Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Electron-phonon interaction in mixed crystals , Physical Review B59, 15422 (1999).

13.     Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Exciton binding energies in polar quantum wells with finite potential barriers, Physical Review B58, 10769 (1998).

14.     Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Polaronic effects on excitons in quantum wells , Physical Review B57, 1749 (1998).

15.     Ruisheng Zheng and Mitsuru Matsuura, Exciton-phonon interaction effects in quantum wells , Physical Review B56, 2058 (1997).

16.     Ruisheng Zheng , Shiliang Ban and Liang X.X., Effects of interface and bulk optical phonons on polarons in a quantum well, Physical Review B49, 1796 (1994).

 

地址:广东省深圳市南山区南海大道3688号
Copyright © 2014   深圳大学光电工程学院
邮编:518060 办公室电话:0755-26732931 传真:0755-26538580 电子邮箱:gds@szu.edu.cn

返回顶部