深圳大学光电工程学院博士后招聘; 深圳大学“柔性可拉伸电子”方向招聘青年教师及博士后; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室拟招聘博士后研究人员1-2名; 深圳大学光电工程学院“光子技术与器件”研究方向博士后招聘; 深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室,国家“青年千人”获得者、深圳大学特聘教授王科拟招聘博士后研究人员1-2名;

武红磊


    武红磊,男,博士,河南省人,硕士生导师。2002年毕业于山东大学光电系,获学士学位;同年7月在常州信息职业技术学院从事半导体技术方向教学工作;2004年9月考入深圳大学光电子学研究所攻读硕士学位,2007年7月获物理电子学硕士学位; 2010年12月获深圳大学光学工程专业博士学位。近三年内,主持国家自然科学基金2项、深圳市科技计划项目2项、深圳大学科技项目1项,作为课题副组长参与973项目1项、国家自然科学基金重点项目1项、教育部博士点项目1项。近五年内,以第一作者身份在国内外学术期刊上已经发表论文16篇,申请专利6项(本人均为第一发明人)。

联系方式

    电话:0755-26538557

    邮箱:hlwu@szu.edu.cn 

研究方向

 从事化合物半导体(AlN、GaN等)晶体和薄膜材料的制备及性能的实验和理论研究工作。


科研项目

[1] 国家自然科学基金项目:氮化铝P掺杂及自补偿机理的第一性原理研究(11447029),2015.1-2017.12,负责人

[2] 国家自然科学基金项目: P型氮化铝晶体的制备及掺杂机理研究(61440028),2015.1-2015.12,负责人

[3] 深圳市科技研发知识创新计划项目:新型半导体材料-氮化铝晶体的P型掺杂研究(JCYJ20120821110533437),2013.1-2014.12,负责人

[4] 深圳市科技研发基础研究计划项目:非极性面氮化铝晶体材料的制备及光电特性研究(JCYJ20140418095735610),2014.12-2016.12,负责人

[5] 国家自然科学基金重点项目:大尺寸AlN单晶材料制备技术研究(61136001),2012.1-2016.12,副组长

[6] 973前期研究专项:大尺寸氮化铝晶体生长及p型掺杂的关键科学问题研究(2010CB635115),2010.4-2012.12,副组长

[7] 教育部博士点基金项目:氮化铝晶体p 型掺杂的理论与实验研究(20114408110002),2012.1-2014.12,副组长


论文目录
[1] Zheng Yan, Honglei Wu, Ruisheng Zheng *. Ferromagnetism in alkali-metal-doped AlP: An ab initio study, Computational Materials Science, 第99卷, 16-20页, 2015

[2] Honglei Wu, Ruisheng Zheng*, Yuan Guo. Structural and optical properties of C–Si codoped p-type and intrinsic AlN crystal, Materials Research Innovations, 第18卷, 721-724页, 2014 

[3] Wei Zheng, Ruisheng Zheng *, Honglei Wu, Fadi Li. Strongly anisotropic behavior of A1(TO) phonon 

mode in bulk AlN, Journal of Alloys and Compounds, 第584卷, 374-376页, 2014

[4] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征, 郑伟, 碳硅共掺杂P型AlN的光电性能研究, 发光学报, 第34卷, 906-91页, 2013

[5] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征. 升华法生长氮化铝晶体的热场分析, 人工晶体学报, 第42卷, 2574-2577页, 2013

[6] 武红磊, 郑瑞生*, 李萌萌, 闫征, 郑伟. 升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究, 人工晶体学报,第41卷, 1534-1539页, 2012

[7] 武红磊, 郑瑞生*, 闫征, 李萌萌, 郑伟. 温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响, 深圳大学学报理工版, 第29卷, 第6期, 487-491页, 2012


专利目录
[1].一种用升华法制备氮化铝晶体的保温装置(国家发明专利),申请号:2008100839707,申请日:2008年4月29日,发明人:武红磊、郑瑞生,2011年7月20日授权
[2].自发籽晶法制备氮化铝晶体的装置及工艺(国家发明专利),申请号:2011103878777,申请日:2011年11月11日,发明人:武红磊、郑瑞生
[3].一种制备非极性面氮化铝材料的工艺方法(国家发明专利),申请号:2012102587798,申请日:2012年7月17日,发明人:武红磊、郑瑞生、李萌萌、闫征
[4].一种制备P型氮化铝晶体的方法(国家发明专利),申请号:2012101153679,申请日:2012年4月10日,发明人:武红磊、郑瑞生、闫征、郑伟、李萌萌

[5] 一种升华法制备氮化铝晶体的生长装置, 申请号:2013102543525, 申请日:2013年6月5日,发明人:武红磊、郑瑞生、徐百胜、闫征、郑伟、李萌萌,



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